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應用材料公司的CMOS和MtM領域的應用推動了對先進的150mm和200mm CVD技術的需求。超厚氧化物(≥20μm);低溫處理(<200°C);保形、低濕蝕刻率薄膜;需要具有可調折射率的摻雜薄膜來滿足這些器件技術的制造要求。這些薄膜加入了 Centura DXZ CVD 系統上可用的**工藝組合,從 TEOS、硅烷基氧化物和氮化物到低 k 電介質、應變工程和光刻薄膜。
DXZ CVD 系統配備了增強的功能,可可靠、仔細地處理各種 MtM 襯底(包括 SiC 晶圓),從負載鎖定晶圓映射到清晰的晶圓方向再到晶圓放置。
Centura DXZ 系統設計在成本(例如,零耗材的工藝套件)、吞吐量、易于維護和可靠性方面提供了顯著改進。該系統采用單晶圓、多腔室架構,可提供高達 80wph 的 TEOS 和 SiC 吞吐量(3,000? PE TEOS 和等離子硅烷)和高達 35wph 的 USG 吞吐量(2000? SACVD USG)。對稱設計和小腔室容積促進了沉積和清潔化學品的高效氣體利用,有助于降低總體擁有成本。A
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