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我們跟國內外多家設備制造商，經銷商，零部件貿易商，晶圓廠，高校，研究所有長期的接觸和聯系，我們有能力保證品質并提供有競爭力的價格。

半導體的規模繼續穩步增長到個位數節點，對芯片制造的精度和均勻性提出了越來越苛刻的要求。在早期的節點上，當特征較大時，可以在不影響器件性能的情況下適應蝕刻深度、線或空間寬度或輪廓角度的更大范圍的變化。同樣，偶爾殘留在特征表面上的顆粒也不會危及器件的可靠性。然而，在當今的先進節點上，蝕刻深度、線或空間寬度或輪廓角度的*微小差異都可能是致命的缺陷。無缺陷的表面也同樣重要。
利用非常成功的 Centris Sym3 產品設計，并將其改進為前沿存儲器和代工邏輯節點的關鍵導體蝕刻和 EUVL 圖案化應用，高度通用的 Centris Sym3 Y 現在是應用材料公司***的蝕刻系統。高電導腔室結構與創新的脈沖射頻源技術相結合，通過快速有效地排出每次晶圓通過時可能積累的蝕刻副產物，實現了出色的蝕刻輪廓控制。

極高的蝕刻選擇性允許在單個腔室中連續蝕刻多層不同材料，以及創建密集封裝、高縱橫比結構（包括 FinFET 和新興的全柵極晶體管）所需的出色深度和輪廓控制。通過新的專有涂層減少制造缺陷并提高晶圓良率，該涂層可在蝕刻過程中保護關鍵的腔室組件。使用新型靜電卡盤可減少晶圓上的晶粒間差異，并通過主動邊緣控制提高晶圓良率的極邊緣。

Sym3 Y 系統由多個蝕刻室和等離子清洗晶圓加工室組成，這些室具有系統智能軟件，可確保每個腔室中的每個過程都精確匹配，從而為大批量生產提供可重復性和高生產率。
憑借****的工藝均勻性和缺陷控制，Sym3 Y 系統為客戶提供了塑造和圖案化材料的新方法，實現了新的 3D 結構和繼續 2D 收縮的新方法，即使芯片特征變得更緊密、更小、縱橫比更大、材料在先進節點上更復雜。

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