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Centura? iSprint? SSW ALD/CVD
隨著半導體器件不斷向更小的尺寸擴展，并轉向新的3D結構，突破了PPACt的界限，金屬化觸點的挑戰變得更加復雜。這些觸點將電子從芯片的一個位置傳輸到另一個位置，對器件性能至關重要。多年來，傳統的CVD鎢因其低電阻率和抗電遷移的魯棒性而成為金屬化許多這些特征的**工藝和材料。然而，在使用傳統CVD技術填充時，具有較高縱橫比的特征或可能具有可重入懸垂輪廓的特征的演變很容易導致接縫和空隙。

Centura? iSprint? ALD/CVD 接縫抑制鎢 （SSW） 系統采用一種處理工藝，可調節可能發生夾斷的特征位置的 W 生長。該技術可實現鎢金屬的底部增強生長。這種獨特的沉積機制抑制了接縫和空隙的形成，這可能不利于阻力和屈服。SSW系統的多功能性使芯片制造商能夠滿足多種應用（包括邏輯和存儲器）中各種苛刻功能的間隙填充要求，同時實現批量生產的高生產率。

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應用材料公司的® Picosun® Morpher? F 系統旨在顛覆 Beyond 和 More than Moore 技術中高達 200 mm 的晶圓行業。它能夠快速、全自動、高吞吐量地生產 MEMS、傳感器、LED、激光器、電力電子、光學器件和 5G 組件，并具有領先的工藝質量、可靠性和操作敏捷性。

應用材料公司 Picosun Morpher F 可適應您所在行業不斷變化的需求和客戶的要求，涵蓋從企業研發到生產和鑄造制造的所有業務垂直領域。Morpher 在基板材料、基板和批量大小方面具有領先的多功能性，以及廣泛的工藝范圍，使 Morpher 真正成為可轉型、包羅萬象的制造設施，讓您在行業中保持領先地位。

應用材料公司的 Picosun Morpher F 設計用于與行業標準單晶圓真空集群平臺相結合，對晶圓批次進行全自動處理。革命性的晶圓批量翻轉機制使該系統能夠與半導體生產線集成，其中大部分加工都是在水平幾何形狀中進行的，SEMI S2/S8 認證確保該系統符合行業最嚴格的標準。

憑借我們的雙室熱壁反應器設計，具有完全分離的前驅體導管和入口，我們創造了最高質量的 ALD 薄膜，具有出色的產量、低顆粒水平以及卓越的電氣和光學性能。緊湊、符合人體工程學的設計，易于快速維護，確保了市場上最短的系統停機時間和最低的擁有成本。

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